osfet可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。

osfet多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。

然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。

osfet是平面晶体管，而胡正明发明的fi架构则是3d的晶体管，3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。

简单来说fi能以更低的成本实现更高的性能指标。

fi的设计主要为突破25n制程，解决osfet由于制程缩小伴随的隧穿效应。

当然从fi这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的fi晶体管。

而一直到了2012年商用22n的fi架构的晶体管才面世。

这是一個非常漫长的过程。

周新要讲的是osfet架构的某一种优化。

带有些许的fi架构思想在其中。

但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。

“我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。

当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。

我们尝试关闭不导通的区域，让osfet在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。

在饱和区osfet的ids是恒定的，尽管vds增加并且一旦vds超过夹断电压vp的值就会发生。

在这种情况下，该设备将像一个闭合的开关一样工作，饱和的ids值流过该开关。

因此，无论何时需要osfet执行开关操作，都会选择该工作区域